5N 6N Кристаллический порошок бора для полупроводников
Кристаллический бор является важной неорганической функциональной добавкой в промышленной сфере. Кристаллический бор представляет собой β-фазу элементарного бора с ромбической икосаэдрической кристаллической структурой. Он обладает высокой химической инертностью, высокой механической твердостью и высокой температурой плавления. Кристаллический бор существует как в гранулированной, так и в порошковой форме и имеет серовато-черный цвет. Он широко используется в таких отраслях, как полупроводниковая промышленность, оптика, термоэлектрические батареи и керамические порошковые материалы.
Стандартный размер частиц кристаллического порошка бора, поставляемого нами, составляет 15-60 мкм; обычный размер зерен кристаллических частиц бора составляет 1-10 мм (специальный размер зерен может быть изготовлен на заказ в соответствии с потребностями клиента), обычно подразделяясь на пять категорий чистоты: 2N, 3N, 4N, 5N, 6N.
Указатель товаров:
| Молекулярная формула: | Б |
| CAS | 7440-42-8 |
| Плотность | 2,3 г/см³ |
| Фаза | β-В фаза |
| Температура плавления | 2300°C |
| Температура кипения | 2550°C |
| твердость по шкале Мооса | >9 |
| Относительная атомная масса | 10.81 |
| Стабильные изотопы | 10 B, 11 B |
| Цвет | Темно-серый, черный |
Химический состав:
| Химический | 2N КРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ БОР | 3N КРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ БОР | 4N КРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ БОР | 5N КРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ БОР | 6N КРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ БОР |
| Б | ≥99% | ≥99,9% | ≥99,99% | ≥99,999% | ≥99,9999% |
| Фе | ≤500 ppm | ≤200 ppm | ≤90 ppm | ≤8 ppm | ≤0,5 ppm |
| В | ≤2,5 ppm | ≤0,08 ppm | ≤0,06 ppm | ≤0,02 ppm | ≤0,02 ppm |
| В | ≤1 ppm | ≤0,8 ppm | ≤0,3 ppm | ≤0,03 ppm | ≤0,03 ppm |
| С | ≤12 ppm | ≤10 ppm | ≤0,1 ppm | ≤0,03 ppm | ≤0,03 ppm |
| Сн | ≤30 ppm | ≤9 ppm | ≤0,1 ppm | ≤0,1 ppm | ≤0,08 ppm |
| Мн | ≤300 ppm | ≤3 ppm | ≤1,1 ppm | ≤0,1 ppm | ≤0,07 ppm |
| Pb | ≤0,08 ppm | ≤0,3 ppm | ≤1,1 ppm | ≤0,08 ppm | ≤0,02 ppm |
| Что | / | ≤18 ppm | ≤0,2 ppm | ≤0,1 ppm | ≤0,01 ppm |
| Как | / | / | / | ≤0,08 ppm | ≤0,01 ppm |
| В | / | / | / | ≤0,05 ppm | ≤0,02 ppm |
| Ге | / | / | / | ≤0,05 ppm | ≤0,04 ppm |
Типичные размеры и упаковка:
| СОДЕРЖАНИЕ БОРА | ТИПИЧНЫЙ РАЗМЕР | Упаковка |
| 99 | 1-5 мкм, 10-30 мкм, 50-100 мкм | 1 кг/5 кг упаковано в вакуумный пакет из алюминиевой фольги (герметично упакован только нанопорошок, вакуум не используется). |
| 99,9 | -200 меш, 0-10 мкм, 1-10 мм | Порошкообразный тип: 1 кг/5 кг, упаковано в вакуумный пакет из алюминиевой фольги. Гранулированный тип: 50 г/500 г/1000 г, упаковано в полипропиленовые бутылки, заполненные защитным инертным газом. |
| 99.99 | -200 меш, 1-10 мм | 50 г/100 г. Упаковано в полипропиленовую бутылку, заполненную инертным газом для герметизации. |
| 99.999 | ||
| 99.9999 |
Приложение:
- Применение кристаллического бора в атомной промышленности:
Crystalline boron plays a crucial role in the nuclear energy field. It can be used as a neutralization control material in nuclear reactors, primarily to compensate for and regulate neutralization reactivity and to facilitate emergency shutdowns, thus maintaining stable reactor operation. Crystalline boron not only has a high neutralization absorption cutoff but also a wide range of neutralization energy absorption, effectively reducing or regulating the neutralization flux generated by nuclear energy, thereby ensuring the safety of the nuclear energy system.
- Applications of Crystalline Boron in Semiconductor Manufacturing:
Crystalline boron is also widely used in the semiconductor industry. As a p-type dopant, crystalline boron can be used to modify the conductivity of semiconductor materials. By doping crystalline boron into silicon, the conductivity properties of silicon can be altered, thereby manufacturing semiconductor devices with different conductivity types, such as diodes and field-effect transistors. In addition, crystalline boron can also be used as a raw material for growing long-lasting semiconductor single-crystal materials. Boron-doped silicon single crystals can be grown using a melt-blown method for fabricating high-performance semiconductor devices.
99.9% purity crystalline boron powder is used in the production of solar silicon wafers as a substrate dopant for P-type silicon wafers and as a boron emitter diffuser for N-type silicon wafers. High-purity boron powders of 5N and 6N can be used as dopants for P-type semiconductors to alter their conductivity and are used in the production of high-purity silicon wafers.
- Applications of Crystalline Boron in Optics:
Crystalline boron also has extensive applications in optics. Due to its excellent nonlinear optical properties, crystalline boron can achieve functions such as light modulation, frequency sweeping, and frequency doubling. Therefore, crystalline boron is widely used in optical devices, including optical modulators, optical frequency combs, and lasers. Furthermore, crystalline boron can also be used as a gain medium in infrared lasers, exhibiting a large emission cutoff and a wide excitation spectrum range.
- In High-Hardness Ceramic Materials:
Crystalline boron can also be used to prepare high-hardness materials, such as boron carbide (B4C) and graphite boron compounds (Bg). Boron carbide is an extremely hard ceramic material with excellent wear resistance and high-temperature resistance, and is therefore widely used in the manufacture of bulletproof armor, hard tools, abrasives, and wear-resistant ceramics. Graphite boron compounds are materials with a graphite-like structure, exhibiting high electrical conductivity and thermal stability, and can be used to prepare high-performance conductive binders, thermally conductive materials, and friction materials.
- Applications of Crystalline Boron in Thermal Batteries:
Термоаккумуляторы — это однофазные термоактивируемые батареи, использующие расплавленную соль в качестве электролита. Они обладают такими преимуществами, как малый размер, легкий вес, длительный срок хранения, необслуживаемая работа, быстрая и надежная активация, а также широкий диапазон рабочих температур, и широко используются в устройствах зажигания некоторых стратегических и обычных вооружений. Анодный материал термоаккумулятора играет решающую роль в его емкости, объеме и выходной мощности. Анодные материалы термоаккумуляторов эволюционировали от первоначальных материалов на основе магния и кальция до современных материалов на основе лития. Среди них композиты Li-B обладают выдающимися преимуществами, такими как высокая плотность энергии, высокая выходная мощность, низкая поляризация, электрохимический потенциал, близкий к потенциалу чистого лития, и сохранение твердого состояния при температурах выше 600℃. Это наиболее перспективный анодный материал для термоаккумуляторов, который постепенно находит применение в высокотехнологичных термоаккумуляторах.
- Кристаллический бор в военной промышленности:
Кристаллический бор может использоваться для производства высокочистых баллистических материалов на основе борной керамики, высокочистых замедлителей взрыва, высокочистых сварочных флюсов на основе бора, высокочистых взрывчатых веществ на основе бора, а также высокочистых обогащенных бором и обедненных кислородом ракетных топлив.
- В производстве сплавов:
Высокочистый борсодержащий медно-сплавный сплав, высокочистый борсодержащий титановый сплав, высокочистая борсодержащая поликристаллическая сталь, высокочистые борсодержащие сверхтвердые износостойкие инструменты, высокочистые борсодержащие коррозионностойкие стальные пластины, высокочистый борсодержащий никелевый сплав, высокочистый борсодержащий хромовый сплав, литий-борный сплав (новый материал для батарей), бор-магниевый сверхпроводящий сплав.
- Применение кристаллического бора в аэрокосмической отрасли:
Высокочистый кристаллический порошок бора может использоваться в качестве нанопокрытия. С помощью технологии магнетронного распыления порошковый материал наносится на поверхность подложки, обеспечивая износостойкость, коррозионную стойкость, термостойкость, стойкость к окислению и атмосферным воздействиям компонентов. Это отвечает требованиям двигателей, работающих в экстремально жестких условиях аэрокосмической и авиационной промышленности, а также может удовлетворять особым требованиям в оптоэлектронике и других областях.
